12月5日消息，面對(duì)當(dāng)前DRAM市場供不應(yīng)求、價(jià)格持續(xù)上漲的局面，三星電子、SK海力士、美光這三大DRAM采取了不同的應(yīng)對(duì)策略：三星電子擬減產(chǎn)HBM3E來擴(kuò)大通用DRAM供給；而SK海力士則聚焦擴(kuò)大數(shù)據(jù)中心/企業(yè)級(jí)所需的DRAM產(chǎn)品的供給，但也考慮擴(kuò)大通用DRAM供給；美光則完全轉(zhuǎn)向了滿足數(shù)據(jù)中心/企業(yè)級(jí)需求，甚至不惜砍掉自己的消費(fèi)類品牌。
三星電子擬削減HBM3E約40%產(chǎn)能，擴(kuò)大通用DRAM供給
據(jù)韓國媒體DealSite近日報(bào)導(dǎo)，為助力公司實(shí)現(xiàn)明年利潤最大化的目標(biāo)，三星電子正考慮大幅削減基于其10nm級(jí)制程的第四代（1a）DRAM芯片HBM3E的產(chǎn)能，以便將生產(chǎn)重心轉(zhuǎn)移到利潤率高于當(dāng)前HBM3E的10nm 級(jí)第五代 (1b) 制程的通用DRAM芯片上。
一位熟悉該三星內(nèi)部情況的負(fù)責(zé)人表示：“我們內(nèi)部正在討論將 30-40% 的 1a DRAM 產(chǎn)能轉(zhuǎn)換為1b DRAM。”他補(bǔ)充道：“如果我們將成熟工藝線（例如 1z）的轉(zhuǎn)換投資也算進(jìn)去，我們將確保每月額外獲得 8 萬片（基于晶圓）的 1b DRAM 產(chǎn)能。”
目前三星HBM3 和HBM3E 均基于1a nm 制程的DRAM制造，而三星電子的1b DRAM則主要用于生產(chǎn)通用DRAM產(chǎn)品，包括DDR5、LPDDR5X等，也有部分會(huì)用于生產(chǎn)GDDR7。即將量產(chǎn)的HBM4 則基于1c nm及1b nm 制程技術(shù)的DRAM產(chǎn)能來生產(chǎn)。
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雖然三星HBM3E良率已有顯著提升，今年下半年也加入了英偉達(dá)的HBM3E供應(yīng)鏈，但其供應(yīng)量仍然有限。因?yàn)橛ミ_(dá)已經(jīng)從SK海力士和美光獲得了足夠的供貨量。同時(shí)，三星供給英偉達(dá)這些大客戶的HBM3E價(jià)格也要比競爭對(duì)手更低，這也導(dǎo)致了三星當(dāng)前的HBM3E產(chǎn)品的營業(yè)利潤率預(yù)計(jì)只有30%左右。此外，英偉達(dá)、AMD都計(jì)劃從明年開始將其主要產(chǎn)品的需求過渡到HBM4，這也將導(dǎo)致對(duì)于HBM3E需求減少。業(yè)內(nèi)人士預(yù)計(jì)，從明年開始，12層HBM3E產(chǎn)品的年均售價(jià)可能還將下降30%以上，這也意味著三星HBM3E的利潤率可能會(huì)進(jìn)一步降低。
與此同時(shí)，由于人工智能（AI）的旺盛需求、HBM搶占標(biāo)準(zhǔn)DRAM產(chǎn)能、短期內(nèi)DRAM擴(kuò)產(chǎn)幅度有限等原因，導(dǎo)致基于1b DRAM產(chǎn)能的通用DRAM產(chǎn)品供不應(yīng)求、價(jià)格持續(xù)上漲。根據(jù)預(yù)計(jì)，在經(jīng)過價(jià)格上漲之后，三星基于1b DRAM產(chǎn)能的DDR5等通用DRAM的營業(yè)利潤率將超過60%，遠(yuǎn)高于HBM3E產(chǎn)品。因此，對(duì)于三星來說，降低HBM3E產(chǎn)能，擴(kuò)大標(biāo)準(zhǔn)DRAM產(chǎn)出將更有利可圖。
一位半導(dǎo)體行業(yè)人士也解釋說：“三星雖然通過了英偉達(dá)的HBM3E認(rèn)證測試，并開始供貨。但明年三星在英偉達(dá)HBM3E供應(yīng)鏈中的份額將只有個(gè)位數(shù)”，并且“由于HBM3E與通用DRAM的盈利能力差距很大，目前生產(chǎn)HBM3E實(shí)際上是在賠錢。 ”
雖然，減產(chǎn)HBM3E所釋放的1b DRAM產(chǎn)能也可以被用于HBM4，但三星目前主要是計(jì)劃用1c DRAM產(chǎn)能來制造HBM4，以形成對(duì)SK海力士的競爭優(yōu)勢。相關(guān)報(bào)道顯示，三星計(jì)劃在其目前月產(chǎn)能為2萬片晶圓的1c DRAM生產(chǎn)線上擴(kuò)大投資，提升至約8萬片晶圓，并將現(xiàn)有成熟工藝升級(jí)為1c DRAM工藝，從而在明年年底前將1c DRAM其總產(chǎn)能提升至15萬片晶圓。不過最近有傳聞稱，三星對(duì)于HBM4投資開始偏于謹(jǐn)慎，可能也在考慮進(jìn)一步削減投資。
除了英偉達(dá)和AMD之外，三星電子目前也有向博通、谷歌在內(nèi)的多家大型科技公司供應(yīng)HBM3E，減產(chǎn)HBM3E可能會(huì)影響到他們。但是三星內(nèi)部人士認(rèn)為：“如果美光科技由于重新設(shè)計(jì)HBM4，使得其HBM4市場競爭力下降，其明年的HBM產(chǎn)能仍將集中于HBM3E，因此其他ASIC客戶有望從美光那里獲得更多HBM3E產(chǎn)能。
除了通過減產(chǎn)HBM3E來增加通用DRAM產(chǎn)能之外，三星電子近期也決定將其位于平澤和華城園區(qū)的部分NAND閃存生產(chǎn)線改造為通用DRAM生產(chǎn)線，以快速提升通用DRAM產(chǎn)能。因?yàn)橥ㄓ肈RAM的價(jià)格上漲預(yù)計(jì)將比NAND Flash的價(jià)格上漲持續(xù)更長時(shí)間。
一位知情人士表示：“三星內(nèi)部有強(qiáng)烈的趨勢，力爭明年取得優(yōu)異的外部業(yè)績。我們的核心目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)比SK海力士更高的營業(yè)利潤，并在盈利能力方面明顯超越他們。”該人士補(bǔ)充道：“因此，我們目前的目標(biāo)是保持DRAM產(chǎn)量的高速增長（與近期半導(dǎo)體行業(yè)的復(fù)蘇相符），并計(jì)劃將大部分產(chǎn)能分配給利潤率較高的通用DRAM。”