12月5日消息，面對當前DRAM市場供不應求、價格持續上漲的局面，三星電子、SK海力士、美光這三大DRAM采取了不同的應對策略：三星電子擬減產HBM3E來擴大通用DRAM供給；而SK海力士則聚焦擴大數據中心/企業級所需的DRAM產品的供給，但也考慮擴大通用DRAM供給；美光則完全轉向了滿足數據中心/企業級需求，甚至不惜砍掉自己的消費類品牌。
三星電子擬削減HBM3E約40%產能，擴大通用DRAM供給
據韓國媒體DealSite近日報導，為助力公司實現明年利潤最大化的目標，三星電子正考慮大幅削減基于其10nm級制程的第四代（1a）DRAM芯片HBM3E的產能，以便將生產重心轉移到利潤率高于當前HBM3E的10nm 級第五代 (1b) 制程的通用DRAM芯片上。
一位熟悉該三星內部情況的負責人表示：“我們內部正在討論將 30-40% 的 1a DRAM 產能轉換為1b DRAM。”他補充道：“如果我們將成熟工藝線（例如 1z）的轉換投資也算進去，我們將確保每月額外獲得 8 萬片（基于晶圓）的 1b DRAM 產能。”
目前三星HBM3 和HBM3E 均基于1a nm 制程的DRAM制造，而三星電子的1b DRAM則主要用于生產通用DRAM產品，包括DDR5、LPDDR5X等，也有部分會用于生產GDDR7。即將量產的HBM4 則基于1c nm及1b nm 制程技術的DRAM產能來生產。
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雖然三星HBM3E良率已有顯著提升，今年下半年也加入了英偉達的HBM3E供應鏈，但其供應量仍然有限。因為英偉達已經從SK海力士和美光獲得了足夠的供貨量。同時，三星供給英偉達這些大客戶的HBM3E價格也要比競爭對手更低，這也導致了三星當前的HBM3E產品的營業利潤率預計只有30%左右。此外，英偉達、AMD都計劃從明年開始將其主要產品的需求過渡到HBM4，這也將導致對于HBM3E需求減少。業內人士預計，從明年開始，12層HBM3E產品的年均售價可能還將下降30%以上，這也意味著三星HBM3E的利潤率可能會進一步降低。
與此同時，由于人工智能（AI）的旺盛需求、HBM搶占標準DRAM產能、短期內DRAM擴產幅度有限等原因，導致基于1b DRAM產能的通用DRAM產品供不應求、價格持續上漲。根據預計，在經過價格上漲之后，三星基于1b DRAM產能的DDR5等通用DRAM的營業利潤率將超過60%，遠高于HBM3E產品。因此，對于三星來說，降低HBM3E產能，擴大標準DRAM產出將更有利可圖。
一位半導體行業人士也解釋說：“三星雖然通過了英偉達的HBM3E認證測試，并開始供貨。但明年三星在英偉達HBM3E供應鏈中的份額將只有個位數”，并且“由于HBM3E與通用DRAM的盈利能力差距很大，目前生產HBM3E實際上是在賠錢。 ”
雖然，減產HBM3E所釋放的1b DRAM產能也可以被用于HBM4，但三星目前主要是計劃用1c DRAM產能來制造HBM4，以形成對SK海力士的競爭優勢。相關報道顯示，三星計劃在其目前月產能為2萬片晶圓的1c DRAM生產線上擴大投資，提升至約8萬片晶圓，并將現有成熟工藝升級為1c DRAM工藝，從而在明年年底前將1c DRAM其總產能提升至15萬片晶圓。不過最近有傳聞稱，三星對于HBM4投資開始偏于謹慎，可能也在考慮進一步削減投資。
除了英偉達和AMD之外，三星電子目前也有向博通、谷歌在內的多家大型科技公司供應HBM3E，減產HBM3E可能會影響到他們。但是三星內部人士認為：“如果美光科技由于重新設計HBM4，使得其HBM4市場競爭力下降，其明年的HBM產能仍將集中于HBM3E，因此其他ASIC客戶有望從美光那里獲得更多HBM3E產能。
除了通過減產HBM3E來增加通用DRAM產能之外，三星電子近期也決定將其位于平澤和華城園區的部分NAND閃存生產線改造為通用DRAM生產線，以快速提升通用DRAM產能。因為通用DRAM的價格上漲預計將比NAND Flash的價格上漲持續更長時間。
一位知情人士表示：“三星內部有強烈的趨勢，力爭明年取得優異的外部業績。我們的核心目標是實現比SK海力士更高的營業利潤，并在盈利能力方面明顯超越他們。”該人士補充道：“因此，我們目前的目標是保持DRAM產量的高速增長（與近期半導體行業的復蘇相符），并計劃將大部分產能分配給利潤率較高的通用DRAM。”